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JANSR2N7269U中文资料

JANSR2N7269U图片

JANSR2N7269U外观图

  • 大小:277.84KB
  • 厂家:
  • 描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:Military, MIL-PRF-19500/603
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 26A,12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):170 nC @ 12 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):150W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:U1(SMD-1)
  • 封装/外壳:3-SMD,无引线

JANSR2N7269U供应商

更新时间:2023-01-11 08:19:46
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